英伟达臆想打算凭借下一Feynman芯片主导推理谋略芯片架构，该公司拟在芯片架构中集成LPU。

12月19日，英伟达与东谈主工智能芯片竞争敌手Groq达成了一项非独家授权契约，这看似是一项旧例来回，但本色上，英伟达意在借助LPU技艺霸占推理谋略规模的向上地位。而对于英伟达集成LPU的具体决议，当今业界已露馅出多种推测。不外，据GPU规模大家 AGF 分析，英伟达或将罗致台积电的夹杂键合技艺，将LPU单元与下一代Feynman GPU进行 3D 堆叠封装。

AGF以为，这一技艺决议或与AMD的 X3D 系列CPU殊途同归，此后者恰是通过台积电的SoIC夹杂键合技艺，将 3D 缓存模块集成至主谋略芯片之上。对于Feynman GPU而言，把 SRAM 动作单片芯片集成并非理思遴荐，原因在于 SRAM 的制程工艺升级空间有限，若罗致先进制程坐褥 SRAM，不仅会形成高端晶圆资源的糜费，还会大幅进步单元晶圆面积的使用本钱。因此，AGF 判断英伟达将遴荐把LPU单元堆叠于Feynman主谋略芯片之上。

从技艺角度分析，这一决议具有合感性：罗致 1.6 纳米制程的 A16 芯片将动作Feynman主谋略芯片，承载张量谋略单元、限度逻辑等中枢谋略模块；而颓靡的LPU芯片则慎重搭载大容量 SRAM 存储阵列。此外，台积电的夹杂键合技艺将成为驱散芯片间互联的关键。相较于外置内存，该技艺能够相沿更宽的互联带宽，并权贵裁汰单元数据传输的能耗。值得一提的是，由于 A16 芯片罗致了背侧供电技艺，芯片正面可预留出更多空间用于垂直 SRAM 互联，从而保险低蔓延的解码反映速率。

不外，该技艺决议也存在不少隐忧。领先是散热问题，在高谋略密度的制程工艺基础上进行芯片堆叠，本人就濒临散热极限的挑战，主打捏续高糊涂量的LPU单元，可能会进一步加重这一瓶颈。更关键的是，该决议还会带来远大的实际层面风险：LPU 单元罗致固定的实际法例，这势必会导致笃定性与纯真性之间的冲突。

即便英伟达能够冲破硬件层面的放手，但仍有隐患，CUDA在LPU实际状貌下的兼容性问题也需要处理，LPU 需要明确的内存地址分派，而 CUDA 中枢的设想初志则是驱散硬件综合化。对英伟达而言，在东谈主工智能芯片架构中集成 SRAM 绝非易事：要驱散LPU与 GPU 协同环境的高效优化，需要完成一项号称工程遗址的技艺攻关。但淌若英伟达志在称霸推理谋略阛阓，那么这笔技艺参预好像恰是其首肯付出的代价。

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